啟航網(wǎng)訊    11月9日上午，應學校邀請，北京科技大學鄭新和教授在F315室作了題為“高品質(zhì)半導體III族氮化物薄膜的原子層沉積與應用”的學術(shù)報告。報告會由副校長何興道教授主持，測試與光電工程學院師生參加了此次報告會。

鄭新和教授首先介紹了以氮化鎵（GaN）為代表的III族氮化物半導體及其低維結(jié)構(gòu)的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，以及在電子封裝工程中的應用；其次，報告詳細介紹了具有低溫生長、覆膜性好以及厚度可以嚴格控制的原子層沉積（ALD）技術(shù)，及其用于III族氮化物的外延生長；最后，報告重點介紹了在硅（Si）、石墨烯/Si、二硫化鉬（MoS2）/Si、導電玻璃、藍寶石等襯底或模板上開展III族氮化物（包括AlN、GaN、InN）的等離子體原子沉積（PEALD）的系統(tǒng)研究和應用。

鄭新和教授的報告深入淺出，講解思路清晰，內(nèi)容豐富，引起了在座師生的極大興趣。講座結(jié)束后，鄭教授與現(xiàn)場師生進行了互動討論，氣氛十分熱烈，大家紛紛針對報告內(nèi)容和自己科研過程中遇到的問題向鄭教授請教，鄭教授都作了詳細的解答，讓大家受益匪淺，贏得了在場師生的一致贊譽和熱烈掌聲。

最后，副校長何興道教授對報告會進行了總結(jié)發(fā)言，對鄭教授所作的精彩報告表示感謝，希望在以后常來我校開展學術(shù)交流指導，提升我校師生的科研能力。